bir tür transistör çeşidi denebilir. transistörle arasındaki fark, transistör base'e verilen akıma göre kontrol edilirken, mosfetin gate'e verilen voltaja göre kontrol edilmesidir. ayrıca mosfet transistör kadar hızlı frekanslarla açıp kapatılamaz. transistör kadar hızlı değildir. ancak mosfetin daha ucuz versiyonları ile daha büyük voltaj ve yükler kontrol edilebilir.
sırasıyla bir metal tabakası, bir oksit tabakası, bir de yarı iletken tabakasına sahip olan, alan etkili transistörler için kullanılan kısaltma. icat edildiği 1960 yılından bu yana üretim maliyetinin sürekli düşmesi sayesinde dünyada en çok kullanılan transistör türüdür. sıklıkla kıyaslandığı bipolar jonksiyonlu transistörlerle aynı işleve sahiptir ve sanıldığının aksine onlardan daha hızlı çalışabilir. burada belirleyici olan "gate" adı verilen kontrol elektrodunun, genellikle saf silisyum elementinden oluşan yarı iletken kanal bölgesindeki elektrik akımını ne kadar hızlı kesebildiğidir. günümüzde fiziksel boyutları yeterince küçültülerek üretilen mosfet'lerin kesim frekansları 300 ghz değerinin üstüne çıkmıştır.